面向功率半导体 / 封测 OSAT 的 HTOL·Burn-in 温度 + 偏置电流监测 · 应用解决方案
说明：本案例为代表性示意场景（基于真实产品能力），用于演示组合价值，非特定客户机密数据。
一、本次方案涉及的三款产品
GL260 A-CN（10CH）
便携式多通道数据记录仪
现场 TUS / 老化温度与电压
GL860 A系列
绝缘多通道数据记录仪
20→200ch，可自由搭配模块
GL-IV系列
多通道电流模块
μA 静态~100A，低压降
二、客户背景与痛点
客户画像（典型）：某车规级功率器件 / 封测厂，产线有数十台老化箱（Burn‑in Oven），每箱并行数十块老化板，板上多颗 DUT（器件）需在高温下施加偏置电压进行 HTOL / Burn‑in 可靠性考核，并满足 AEC‑Q100 可追溯要求。
① 偏置电流监测难
老化板多插座电流需逐路监控，防止单颗失效拖累整板
μA 级静态电流（IDDQ）测不准，CMOS 缺陷漏检
传统串联电阻法（分流器）大电流时压降大，干扰 DUT 工作点
② 温度与电流不同步
炉温（9 点 TUS）与偏置电流分属两套设备，时间轴对不齐
老化数天~数周，需长时间连续记录且数据可溯源
异常（过流 / 超温）无法联动报警、停炉
三、方案配置：GL260 A-CN（10CH） / GL860 A系列 + GL-IV系列
| 设备 / 模块 | 角色 | 关键能力 |
|---|---|---|
| GL860 A系列（或便携 GL260 A-CN（10CH）） | 温度 + 偏置电压采集主机 | 20→200ch 隔离输入；电压 ±0.05% 满量程(F.S.)+10μV；热电偶 K 型典型 ±0.8℃（满足 9 点 TUS）；可自由搭配 4 种模块 |
| 高精度端子台（选配） | 温度 / 高耐压接口 | 提升温度测量精度、承受更高 DC 电压 |
| GL-IV系列 电流模块 | 多通道偏置电流采集 | μA 静态 ~ 100A 工作电流；低压降不干扰 DUT；电流精度 ≤±1% 读数（多量程，各量程有保证区间）；最高 32ch；1ms+ 采样 |
| GL-Connection 软件 | 数据合并 / 报警 / 导出 | 多设备同步、邮件 / 超限报警、Direct Excel、CSV 溯源 |
* 注：根据模块不同，精度不同，下列精度为各产品的最高精度。电压精度为 ±(0.05% 满量程+10μV)，热电偶为温度精度（K 型典型 ±0.8℃）；GL-IV系列 电流精度为 ≤±1% 读数，按所选量程，且不含主机（数据采集仪）精度，各量程有保证区间，最终以对应规格书为准。
四、方案价值 · 相比传统分流电阻法
针对第二节中的"偏置电流监测难、温度与电流不同步"等痛点，本方案可为您带来如下核心收益：
μA 级静态电流 IDDQ 可测
≤±1% 读数电流测量精度
32ch单模块电流通道
低压降不干扰 DUT 工作
| 痛点 | 传统分流电阻 | GL260 A-CN（10CH） / GL860 A系列 + GL-IV系列 |
|---|---|---|
| 大电流测不准 / 压降干扰 | 压降大，DUT 异常 | 低压降，原样工作 |
| μA 静态电流（IDDQ） | 分辨率不足 | 微安级精准捕捉 |
| 温度 + 电流同步 | 两套设备对不齐 | 同一时间轴 |
| 长时老化记录 | 存储受限 | TB 级连续记录 |
五、典型适用客户与场景
功率半导体厂
SiC / IGBT / 分立器件 HTRB·HTGB 偏置监测，电流大、对压降敏感——本方案低压降不干扰器件，大电流也测得准。
封测 OSAT
Burn‑in 工序多板多插座电流监控 + 9 点 TUS 验证，温度电流同一时间轴，长时连续不丢数据。
车规 / 第三方实验室
AEC‑Q100 可溯源温度 + 偏置曲线，合规报告一键导出，满足审计与交付要求。
总结：本方案针对老化试验中最棘手的"偏置电流测不准、温度与电流对不齐"两大难题——GL860 A系列（或便携 GL260 A-CN（10CH））完成炉温 9 点 TUS 与偏置电压监测，GL-IV系列 电流模块以低压降方式把每块老化板从微安静态到百安工作的电流同步采下，温度与电流落在同一时间轴，支持数天~数周连续记录与超限自动报警。相比传统串联电阻法，不打扰器件工作点、IDDQ 微安级可测，且数据全程可溯源，助力 AEC-Q100 等可靠性验证合规交付。
行业参照：GRAPHTEC 数据记录仪 GL260 A-CN（10CH）与 GL860 A系列 广泛应用于三星（Samsung）、SK 海力士（SK Hynix）、超威（AMD）等头部存储厂和半导体厂的老化与可靠性试验。